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10月21日，SK海力士宣布开发适用第三代1Z纳米DDR4动态随机存储器（DRAM）。SK海力士称，这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的DRAM内最大。
此外，与上一代1Y纳米产品相比，其产能提升约27%，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。
新款1Z纳米DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率，据称是DDR4规格内最高速度。在功耗方面，与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比，功耗降低约40%。
第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料，将DRAM操作的关键要素静电容量最大化。此外，还引进了新的设计技术，提高了动作稳定性。
接下来，SK海力士计划将第三代10纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域，包括下一代移动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。
DRAM 1Z开发事业TF长李廷燻表示，该芯片计划年内完成批量生产，从明年开始正式供应。
科普：什么是1Xnm，1Ynm和1Znm
在内存工艺进入20nm之后，由于制造难度越来越高，内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是希望通过两代或三代1Xnm节点去升级DRAM，由此称为1Xnm、1Ynm、1Znm。大体上1Xnm工艺相当于16-19nm级别、1Ynm相当于14-16nm，1Znm工艺相当于12-14nm级别。
