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您说的3D颗粒应该是指“3D NAND闪存堆叠技术”，它是一种芯片封装技术，并非颗粒！接下来带大家一起了解一下“3D NAND闪存堆叠技术“。
NAND闪存颗粒，是闪存家族的一员，最早由日立公司于1989年研制并推向市场，由于NAND闪存颗粒功耗更低、价格更低和性能更佳等优点，早已成为存储行业重要的存储原料。
闪存是一种永久性的半导体可擦写存储器，U盘、SD存储卡、SSD 等都属于闪存。
NAND 即与非门，是数字电路的一种基本逻辑电路。NAND是现在市场上一种主要的非易失闪存技术。从上世纪80年代开始就应用于闪存。现在，它是生产SSD固态硬盘的基本材料，即闪存颗粒。
闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电时保存的数据不易丢失，而且是以固定的区块为单位进行存储，而不是象机械硬盘那样，以单个的字节为单位进行存储的。这样，读写的速度就很快。也就是说，闪存不是一个字一个字地读、写，而是像复印机扫描的方式一样，一次扫一页，存、写都是一页。SSD中的一块，会有几页。
SSD固态硬盘的容量每隔几个月就会升级，原因是闪存存储器的3D堆叠又上了层次，它类似于单个的存储器。NAND的优良性能是能对数据进行快速处理，编程速度快、擦除时间短。
NAND是一种比机械硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量中表现得更好。现在追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，因此，NAND极具吸引力。
3D NAND颗粒又可以分为32层、48层甚至64层，3D TLC/MLC颗粒的不同产品，各大厂商的技术不尽相同。根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC(三层存储单元)，此四种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。
芯片堆叠，像积木一样一层层的堆起来，但是，这种技术并非仅仅只应用在建筑上。科技产品下一个重大突破将在3D闪存芯片堆叠领域出现。
2D NAND就是平面上的2个维度，从2013年8月以来，3D NAND存储器就已经成功地投入了市场。
3D就是立方体的3个维度。以前，把NAND闪存颗粒，直接平铺在SSD固态硬盘电路板上，叫2D技术。后来，厂家为节约成本，节省空间，像建高楼一样，一层又一层地平铺上去，就成为了3D堆叠闪存技术。3D NAND将思路从提高制造工艺转移到了堆叠更多层数，这样就可以兼顾容量、性能和可靠性了。
3D NAND闪存是一种新兴的闪存类型，通过把内存颗粒堆叠在一起来，解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。相同颗粒数的96层堆叠闪存比32层堆叠闪存的容量大很多，所需要的技术难度也更大。
3D NAND相对2D NAND来说，是一次闪存技术上的变革。而且不同于基于微缩技术的平面闪存，3D存储器的关键技术是薄膜和刻蚀工艺，技术工艺差别较大。