什么是ASEMI快恢复二极管SFF806A的正向压降?-Z
我们都知道,正向压降决定着二极管的功耗和性能,那么什么是二极管的正向压降?ASEMI快恢复二极管SFF806A的压降是多少呢?
SFF806A参数描述
型号:SFF806A
封装:ITO-220AC
特性:超快恢复二极管
电性参数:8A,600V
芯片材质:抗冲击硅芯片
正向电流(Io):8A
芯片个数:1
正向电压(VF):1.5V
芯片尺寸:86 MIL
浪涌电流Ifsm:125A
漏电流(Ir):10uA
工作温度:-55~+150℃
恢复时间(Trr):35nS
引线数量:2
在电子电路中,将快恢复二极管SFF806A的阳极接高电位端,阴极接低电位端,快恢复二极管就会导通。这种连接方式称为正向偏置。需要注意的是,当加在SFF806A两端的正向电压很小时,快恢复二极管SFF806A仍然不能导通,流过二极管的正向电流非常微弱。只有当正向电压达到一定值(这个值称为“阈值电压”)时,二极管SFF806A才能直接导通。导通后,二极管两端的电压基本保持不变,称为二极管的“正向压降”。
SFF806A快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同。它在P型和N型硅材料之间增加一个基区I,形成PIN硅芯片。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,不仅大大降低了trr值,而且瞬态正向压降也减小了,使管子可以承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般在几百纳秒,正向压降在0.6V左右。正向电流为几安到几千安,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管SFF806A的反向恢复电荷进一步降低,使其trr可低至几十纳秒。