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LF303结型场效应晶体管简略说明： N沟道结型耗尽型半导体材料：硅封 装： SOT-23 用 途： 低频 极限值（绝对最大额定值）参 数 名 称 符 号 数 值 单 位 最小值 最大值 最低和最高工作环境温度 Tamb -55 +125 ℃最低和最高储存温度 Tstg -55 +175 ℃最大正向栅极电流 IGF 10 mA最大漏极电流 ID 15 mA最大耗散功率 Ptot 100 mw最高有效结温 T(vj) +175 ℃ 电特性特 性 和 条 件Tamb=25℃ 符 号 规 范 值 单 位 最小值 典型值 最大值 栅-源击穿电压VDS=0V IGS≤1uA V(BR)GSS - 30 V栅极截止电流（栅极反向电流）VDS=0V VGS= -10V IGSS -1000 pA栅源截止电压VDS=10V ID=10uA VGS(off) -0.6 -4 V零栅压时的漏极电流（饱和漏极电流）VDS=10V VGS=0V IDSS 1 3.5 mA小信号短路正向跨导VDS=10V VGS=0Vf=1KHz ID=3mA gfs 2500 8000 us小信号短路输入电容VDS=10V f=500KHz Ciss 5 PF 导通电阻 RDS(on) 500 Ω