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建议你不要使用现代内存!!!!!!!!!!!hynix 512AAHY5DU56822BT-J应该是DDR333 256Mhynix 347APHY5DU56822BT-H应该是DDR266 256M 整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下：1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）） 由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。两款价格差不多~160 左右吧 现在最基本也要买DDR400的吧?现代内存CPU-Z识别得非常准确！现在市场上的所谓现代兼容内存其实就是将一些内存厂不要的劣种颗粒“兼容”在一块PCB板上，打磨上现代的标志，这就是现代兼容条！不懂的人还以为这内存兼容性好咧~现代内存没有给中国市场供应它们的品牌内存！市场上的“现代”内存98%是假冒打磨的，1%是非正常途径从国外“带”进来的，1%是品牌机上拆下来的，因为现代是给部分品牌机提供它们的品牌内存的